本技術(shù)涉及半導(dǎo)體，具體為一種傳感器芯片。

背景技術(shù)：

1、隨著技術(shù)的不斷迭代進(jìn)步，mems(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器芯片的尺寸逐漸縮小，將芯片做小的優(yōu)勢(shì)是能夠降低生產(chǎn)成本；但芯片尺寸做小的同時(shí)，膜層結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)的應(yīng)力對(duì)膜層的影響越發(fā)明顯。例如，當(dāng)膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)成多邊形結(jié)構(gòu)時(shí)，應(yīng)力會(huì)集中在多邊形結(jié)構(gòu)中各個(gè)角的位置；若應(yīng)力得不到有效釋放，則會(huì)影響到芯片應(yīng)用的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是如何改善膜層結(jié)構(gòu)的應(yīng)力以提高傳感器芯片的可靠性。

2、為了解決上述提出的至少一個(gè)技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種傳感器芯片。

3、根據(jù)本公開(kāi)的一方面，提供了一種傳感器芯片，所述傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括：

4、硅襯底；所述硅襯底具有在其厚度方向相對(duì)而設(shè)的第一側(cè)以及第二側(cè)，背板、犧牲層以及振膜層疊設(shè)置于所述第一側(cè)；所述犧牲層設(shè)置于所述背板以及所述振膜之間；

5、所述背板為多邊形結(jié)構(gòu)；所述振膜上設(shè)置有圍繞所述背板周向設(shè)置的至少一個(gè)第一挖槽；所述第一挖槽貫穿所述多層結(jié)構(gòu)中的一層或多層。

6、在一些可能的實(shí)施例中，所述第一挖槽的數(shù)量被設(shè)置為多個(gè)，且多個(gè)第一挖槽以預(yù)設(shè)間隔圍繞所述背板周向均勻設(shè)置。

7、在一些可能的實(shí)施例中，所述背板設(shè)置于所述振膜以及所述硅襯底之間；

8、所述第一挖槽設(shè)置于所述振膜上并貫穿所述振膜。

9、在一些可能的實(shí)施例中，所述第一挖槽還貫穿所述犧牲層、所述背板以及所述硅襯底。

10、在一些可能的實(shí)施例中，所述振膜設(shè)置于所述背板以及所述硅襯底之間；

11、所述第一挖槽依次貫穿所述背板、所述犧牲層以及所述振膜。

12、在一些可能的實(shí)施例中，所述第一挖槽還貫穿所述硅襯底。

13、根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供了另一種傳感器芯片，所述傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括：

14、硅襯底；所述硅襯底具有在其厚度方向相對(duì)而設(shè)的第一側(cè)以及第二側(cè)，背板、犧牲層以及振膜層疊設(shè)置于所述第一側(cè)；所述犧牲層設(shè)置于所述背板以及所述振膜之間；所述背板為多邊形結(jié)構(gòu)；

15、所述硅襯底的第二側(cè)設(shè)置有第二挖槽；所述第二挖槽內(nèi)部填充膠水。

16、在一些可能的實(shí)施例中，所述振膜設(shè)置于所述背板以及所述硅襯底之間；或，

17、所述背板設(shè)置于所述振膜以及所述硅襯底之間。

18、在一些可能的實(shí)施例中，所述振膜上設(shè)置有圍繞所述背板周向設(shè)置的至少一個(gè)第一挖槽；所述第一挖槽貫穿所述多層結(jié)構(gòu)中的一層或多層。

19、在一些可能的實(shí)施例中，所述第一挖槽的數(shù)量被設(shè)置為多個(gè)，且多個(gè)第一挖槽以預(yù)設(shè)間隔圍繞所述背板周向均勻設(shè)置。

20、實(shí)施本實(shí)用新型，具有如下有益效果：

21、本實(shí)用新型中，傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)，多層結(jié)構(gòu)包括硅襯底、背板、犧牲層以及振膜；其中背板為多邊形結(jié)構(gòu)，為改善膜層結(jié)構(gòu)為多邊形結(jié)構(gòu)時(shí)存在的層間應(yīng)力，在不改變芯片內(nèi)部膜層結(jié)構(gòu)的情況下，通過(guò)在振膜上設(shè)置貫穿多層結(jié)構(gòu)的一層或多層的第一挖槽，以實(shí)現(xiàn)應(yīng)力的改善，進(jìn)而提高傳感器芯片的可靠性；或者，改變芯片晶圓的結(jié)構(gòu)，通過(guò)在硅襯底中設(shè)置第二挖槽并在第二挖槽中填充膠水，通過(guò)控制第二挖槽的體積來(lái)控制膠水填充量，以實(shí)現(xiàn)應(yīng)力的改善，以及改善膠水進(jìn)入背腔并增加傳感器芯片和pcb板之間的粘附力，進(jìn)而提高傳感器芯片的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種傳感器芯片，其特征在于，所述傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)(1)，所述多層結(jié)構(gòu)(1)包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

7.一種傳感器芯片，其特征在于，所述傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)(1)，所述多層結(jié)構(gòu)(1)包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種傳感器芯片，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種傳感器芯片，其特征在于，所述傳感器芯片包括多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)包括：硅襯底；硅襯底具有在其厚度方向相對(duì)而設(shè)的第一側(cè)和第二側(cè)，背板、犧牲層以及振膜層疊設(shè)置于第一側(cè)；犧牲層設(shè)置于背板以及振膜之間；背板為多邊形結(jié)構(gòu)；振膜上設(shè)置有圍繞背板周向設(shè)置的至少一個(gè)第一挖槽；第一挖槽貫穿所述多層結(jié)構(gòu)中的一層或多層。本技術(shù)通過(guò)在傳感器芯片中設(shè)置貫穿多層結(jié)構(gòu)的挖槽，以實(shí)現(xiàn)對(duì)于多邊形膜層結(jié)構(gòu)中存在的應(yīng)力進(jìn)行釋放與平衡，減少應(yīng)力對(duì)于振膜結(jié)構(gòu)、完整性等多方面的影響，從而提高傳感器芯片的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：翁國(guó)軍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州園芯微電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20241028
技術(shù)公布日：2025/8/28