背景技術(shù)：
1、本公開內(nèi)容整體上涉及含抗蝕刻材料的等離子體暴露部件。在半導(dǎo)體制造處理中，等離子體處理通常用于從襯底上去除材料。等離子體處理的一個(gè)示例是反應(yīng)離子蝕刻(rie)。rie涉及形成含有化學(xué)反應(yīng)性氣體的等離子體。在該等離子體中形成的反應(yīng)性氣體的離子與處理室中的襯底產(chǎn)生反應(yīng)，以形成揮發(fā)性產(chǎn)物。接著，以氣相將該揮發(fā)性產(chǎn)物從該處理室中去除。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、提供本
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
，以利用簡化的形式來介紹概念的選擇，其將在以下的具體實(shí)施方式中進(jìn)一步描述。本發(fā)明內(nèi)容不意圖識(shí)別所要求保護(hù)的主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也不意圖用于限制所要求保護(hù)的主題的范圍。此外，所要求保護(hù)的主題不限于解決本公開內(nèi)容的任何部分中所提到的任何或所有缺點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)方案。
2、一個(gè)示例提供了一種用于等離子體處理工具的等離子體暴露部件。所述等離子體暴露部件包含：抗蝕刻材料，其具有在暴露于包含氟和/或氧的等離子體處理氣體化學(xué)品時(shí)比硅或硅碳化物較低的蝕刻速率。所述抗蝕刻材料包括以下一者或更多者：(a)鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的氧化物、氮化物或氧氮化物，或(b)摻雜有鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的硅或硅碳化物中的一者或更多者。
3、在一些這樣的示例中，所述抗蝕刻材料被配置成在與包含氟的等離子體處理氣體化學(xué)品反應(yīng)后形成氟化物。所述氟化物具有1000℃以下的沸點(diǎn)。
4、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述抗蝕刻材料包括鈦或鋯的所述氧化物、所述氮化物或所述氧氮化物中的一者或更多者。
5、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述抗蝕刻材料包括鈦的所述氮化物或鋯的所述氮化物。
6、在一些這樣的示例中，所述等離子體暴露部件的主體部分和表面替代地或額外地由所述抗蝕刻材料形成。
7、在一些這樣的示例中，所述等離子體暴露部件替代地或額外地是電極、等離子體約束護(hù)罩或邊緣環(huán)。
8、另一示例提供了一種等離子體處理工具，其包括：處理室；以及等離子體暴露部件，其位于所述處理室內(nèi)。所述等離子體暴露部件包括抗蝕刻材料，所述抗蝕刻材料具有在暴露于包含氟和/或氧的等離子體處理氣體化學(xué)品時(shí)比硅或硅碳化物較低的蝕刻速率。所述抗蝕刻材料包括以下一者或更多者：(a)鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的氧化物、氮化物或氧氮化物，或(b)摻雜有鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的硅或硅碳化物中的一者或更多者。
9、在一些這樣的示例中，所述工具替代地或額外地包括電介質(zhì)等離子體蝕刻工具。
10、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述抗蝕刻材料被配置成在與包含氟的所述等離子體處理氣體化學(xué)品反應(yīng)后形成氟化物。所述氟化物具有1000℃以下的沸點(diǎn)。
11、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述等離子體暴露部件包括被主體部分支撐的外層。所述外層包括所述抗蝕刻材料。
12、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述主體部分包括硅、硅碳化物或硅氧化物中的一者或更多者。
13、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述等離子體暴露部件的主體部分和表面由所述抗蝕刻材料形成。
14、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述等離子體暴露部件是電極、等離子體約束護(hù)罩或邊緣環(huán)。
15、另一示例提供了一種用于等離子體處理工具的等離子體暴露部件。所述等離子體暴露部件包括：主體部分；以及外層，其被所述主體部分支撐。所述外層包括抗蝕刻材料，所述抗蝕刻材料與所述主體部分的材料不同。所述抗蝕刻材料被配置成在選定的等離子體化學(xué)品中比硅或硅碳化物以較低的速率進(jìn)行蝕刻。
16、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述外層接觸所述主體部分。
17、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述抗蝕刻材料包括鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的氧化物、氮化物或氧氮化物中的一者或更多者。
18、在一些這樣的示例中，所述抗蝕刻材料替代地或額外地包括鈦或鋯的所述氧化物、所述氮化物或所述氧氮化物中的一者或更多者。
19、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述抗蝕刻材料包括摻雜有鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的硅或硅碳化物中的一者或更多者。
20、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述抗蝕刻材料被配置成在與包含氟的等離子體處理氣體化學(xué)品反應(yīng)后形成氟化物。所述氟化物具有1000℃以下的沸點(diǎn)。
21、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述主體部分包含硅、硅碳化物或硅氧化物中的一者或更多者。
22、在一些這樣的示例中，替代地或額外地，所述等離子體暴露部件是電極、等離子體約束護(hù)罩或邊緣環(huán)。
1.一種用于等離子體處理工具的等離子體暴露部件，所述等離子體暴露部件包含：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料被配置成在與包含氟的所述等離子體處理氣體化學(xué)品反應(yīng)后形成氟化物，所述氟化物具有1000℃以下的沸點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料包括鈦或鋯的所述氧化物、所述氮化物或所述氧氮化物中的一者或更多者。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料包括鈦的所述氮化物或鋯的所述氮化物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述等離子體暴露部件的主體部分和表面由所述抗蝕刻材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件，其中，所述等離子體暴露部件是電極、等離子體約束護(hù)罩或邊緣環(huán)。
7.一種等離子體處理工具，其包括：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工具，其中，所述工具包括電介質(zhì)等離子體蝕刻工具。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工具，其中，所述抗蝕刻材料被配置成在與包含氟的所述等離子體處理氣體化學(xué)品反應(yīng)后形成氟化物，所述氟化物具有1000℃以下的沸點(diǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工具，其中，所述等離子體暴露部件包括被主體部分支撐的外層，所述外層包括所述抗蝕刻材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工具，其中，所述主體部分包括硅、硅碳化物或硅氧化物中的一者或更多者。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工具，其中，所述等離子體暴露部件的主體部分和表面由所述抗蝕刻材料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工具，其中，所述等離子體暴露部件是電極、等離子體約束護(hù)罩或邊緣環(huán)。
14.一種用于等離子體處理工具的等離子體暴露部件，所述等離子體暴露部件包括：
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述外層接觸所述主體部分。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料包括鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的氧化物、氮化物或氧氮化物中的一者或更多者。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料包括鈦或鋯的所述氧化物、所述氮化物或所述氧氮化物中的一者或更多者。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料包括摻雜有鈦、鉿、鋯或錫中的一者或更多者的硅或硅碳化物中的一者或更多者。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述抗蝕刻材料被配置成在與包含氟的等離子體處理氣體化學(xué)品反應(yīng)后形成氟化物，所述氟化物具有1000℃以下的沸點(diǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述主體部分包含硅、硅碳化物或硅氧化物中的一者或更多者。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的部件，其中，所述等離子體暴露部件是電極、等離子體約束護(hù)罩或邊緣環(huán)。