本發(fā)明涉及電子封裝，尤其涉及一種電路板及其制作方法。
背景技術：
1、埋入式技術通過在電路板內(nèi)直接嵌入芯片、無源元件（如電阻、電容）或天線等元器件，能夠有效解決信號傳輸延遲、散熱問題、封裝體積限制等問題，滿足高密度集成和高性能需求。
2、當前電路板在進行埋入式處理時，芯片扇出主要靠傳統(tǒng)介電材料增層后，鐳射盲孔導通芯片，再進行化學沉積種子層和電鍍長銅工藝，實現(xiàn)盲孔的層間互連功能，但是，隨著嵌入式芯片封裝技術在三次電源封裝上應用擴大，當前在辦行業(yè)工藝流程難以滿足產(chǎn)品的流通和散熱需求。
3、因此，如何精確在埋入式框架層中形成盲孔，以實現(xiàn)通過盲孔將電路板與外部器件穩(wěn)定連接成為亟待解決的問題。
技術實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明實施例提供一種電路板及其制作方法，以解決如何精確在埋入式框架層中形成盲孔，以實現(xiàn)通過盲孔將電路板與外部器件穩(wěn)定連接的問題。
2、第一方面，本發(fā)明實施例提供一種電路板的制作方法，包括：
3、提供一埋入式框架層，在所述埋入式框架層的第一預設位置處埋入芯片，得到芯片框架層，在所述芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料層；
4、在所述介電材料層的第二預設位置處形成連通所述芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，所述第一組下盲孔用于連接所述芯片框架層的表面，所述第二組下盲孔用于連通所述芯片的焊盤；
5、在所述介電材料層上形成下種子層，并在所述下種子層上鍍上導電金屬，形成下表面金屬層，對所述下表面金屬層進行圖形刻蝕，得到芯片封裝電路板。
6、在一實施例中，在所述芯片框架層的芯片扇出層反方向形成絕緣層，在所述芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料時，在所述絕緣層形成連通所述芯片框架層的上盲孔；
7、在所述介電材料層上形成下種子層時，在所述上盲孔形成上種子層；
8、在所述下種子層上鍍上導電金屬，形成下表面金屬層時，在所述上種子層上鍍上導電金屬，形成上表面金屬層；
9、對所述下表面金屬層進行圖形刻蝕時，對所述上表面金屬層進行圖形刻蝕，得到芯片封裝電路板。
10、在一實施例中，在所述得到電路板之前，還包括：
11、對所述第一組下盲孔、所述第二組下盲孔、所述上盲孔、所述下種子層以及所述上種子層進行電鍍，直至每個盲孔被填充并覆蓋所述上種子層和所述下種子層，得到芯片封裝電路板。
12、在一實施例中，所述在所述介電材料層的第二預設位置處形成連通所述芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，包括：
13、使用掩膜板遮擋所述介電材料層的預設的避光區(qū)域，并將所述介電材料層進行曝光，得到曝光后的區(qū)域；
14、使用顯影液清洗所述曝光后的區(qū)域形成所述第一組下盲孔和所述第二組下盲孔。
15、在一實施例中，所述第二組下盲孔中每個盲孔與對應焊盤的尺寸相同。
16、在一實施例中，在所述得到芯片封裝電路板之前，還包括：
17、對所述第一組下盲孔、所述第二組下盲孔、所述上盲孔、所述下種子層以及所述上種子層進行電鍍，直至每個盲孔被填充并覆蓋所述上種子層和所述下種子層，得到芯片封裝電路板。
18、第二方面，本發(fā)明實施例提供一種電路板，所述電路板如所述的電路板的制作方法制備得到，所述電路板包括：
19、埋入式框架層，所述埋入式框架層內(nèi)嵌設有芯片；
20、介電材料層，所述介電材料層壓合于所述埋入式框架層設有芯片側(cè)，所述介電材料層對應所述芯片的焊盤處開設有所述第二組下盲孔；
21、下種子層，所述下種子層連接于所述芯片的焊盤和所述介電材料層；
22、金屬層，所述金屬層填充于每個盲孔且覆蓋于所述種子層。
23、在一實施例中，所述介電材料層相對于所述第二組下盲孔兩側(cè)開設有所述第一組下盲孔。
24、在一實施例中，所述埋入式框架層相對所述介電材料層一側(cè)對應所述第一組下盲孔處設有所述上盲孔。
25、在一實施例中，所述金屬層上開設有連接槽，以供外部器件連接。
26、本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比存在的有益效果是：通過提供一埋入式框架層，在埋入式框架層的第一預設位置處埋入芯片，得到芯片框架層，在芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料層，在介電材料層的第二預設位置處形成連通芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，第一組下盲孔用于連接所述芯片框架層的表面，第二組下盲孔用于連通芯片的焊盤，在介電材料層上形成下種子層，并在下種子層上鍍上導電金屬，形成下表面金屬層，對下表面金屬層進行圖形刻蝕，得到芯片封裝電路板。通過在埋入式框架層中壓合介電材料層，并在介電材料層上形成各個盲孔，并在盲孔中形成種子層，在種子層上形成金屬層，得到芯片封裝電路板，從而精確在埋入式框架層中形成盲孔，以實現(xiàn)通過盲孔將電路板與外部器件穩(wěn)定連接。
1.一種電路板的制作方法，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，在所述芯片框架層的芯片扇出層反方向形成絕緣層，在所述芯片框架層的芯片扇出層方向壓合一介電材料時，在所述絕緣層形成連通所述芯片框架層的上盲孔；
3.根據(jù)權利要求2所述的電路板的制作方法，其特征在于，在所述得到芯片封裝電路板之前，還包括：
4.根據(jù)權利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述在所述介電材料層的第二預設位置處形成連通所述芯片框架層的第一組下盲孔和第二組下盲孔，包括：
5.根據(jù)權利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述第二組下盲孔中每個盲孔與對應焊盤的尺寸相同。
6.根據(jù)權利要求2所述的電路板的制作方法，其特征在于，在所述得到芯片封裝電路板之前，還包括：
7.一種電路板，其特征在于，所述電路板如權利要求1至6所述的電路板的制作方法制備得到，所述電路板包括：
8.根據(jù)權利要求7所述的電路板，其特征在于，所述介電材料層相對于所述第二組下盲孔兩側(cè)開設有所述第一組下盲孔。
9.根據(jù)權利要求7所述的電路板，其特征在于，所述埋入式框架層相對所述介電材料層一側(cè)對應所述第一組下盲孔處設有所述上盲孔。
10.根據(jù)權利要求7所述的電路板，其特征在于，所述金屬層上開設有連接槽，以供外部器件連接。