本技術(shù)涉及硅應變片生產(chǎn)，尤其涉及一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置。
背景技術(shù)：
1、硅應變片腐蝕減薄裝置是一種用于將硅應變片表面材料去除，實現(xiàn)減薄的設備。這種裝置在半導體制造、硅片、光學材料加工、薄膜材料制備等領(lǐng)域有著廣泛的應用，硅應變片腐蝕減薄可以采用機械減薄和化學減薄兩種方法。
2、機械減薄是指通過物理方法，如研磨、拋光等，將硅晶圓表面去除一定厚度的材料，化學減薄是指利用化學反應的原理，通過腐蝕硅晶圓表面材料來達到減薄的目的。
3、現(xiàn)有技術(shù)中硅應變片腐蝕減薄裝置機械減薄的缺陷是會對硅晶圓表面造成一定的損傷，需要后續(xù)處理來恢復表面質(zhì)量，化學減薄的缺陷是需要控制反應條件和選擇合適的腐蝕液，以確保減薄精度和表面質(zhì)量。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、為了彌補以上不足，本實用新型提供了一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，旨在改善現(xiàn)有技術(shù)中硅應變片腐蝕減薄裝置通過單一的方式進行作業(yè)均會存在一定的缺陷的問題。
2、為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了如下技術(shù)方案：一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，包括工作臺，所述工作臺的內(nèi)部底端固定連接有反應盒，所述反應盒的內(nèi)部設置有硅塊，所述工作臺的頂端開設有滑軌，所述滑軌的內(nèi)部滑動連接有移動機構(gòu)，所述移動機構(gòu)用于移動已腐蝕反應完成的硅塊，所述工作臺的內(nèi)部設置有切割機構(gòu)，所述切割機構(gòu)用于將已腐蝕完成的硅塊切割至需要的厚度，所述工作臺的內(nèi)部設置有收集機構(gòu)，所述收集機構(gòu)用于收集已切割完成的硅塊，所述工作臺的內(nèi)部頂端設置有照射機構(gòu)，所述照射機構(gòu)用于通過照射使得切割完成的所述硅塊脫落。
3、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
4、所述移動機構(gòu)包括電動推桿，所述電動推桿的頂部滑動連接在所述滑軌的內(nèi)部，所述電動推桿的輸出端固定連接有uv膠膜，所述uv膠膜的底端與所述硅塊的頂部相粘黏。
5、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
6、所述切割機構(gòu)包括支架，所述支架的底部固定連接在所述工作臺的內(nèi)部底端，所述支架的頂部固定連接有刀片。
7、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
8、所述收集機構(gòu)包括收集盒，所述收集盒的底端固定連接在所述工作臺的內(nèi)部底端。
9、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
10、所述照射機構(gòu)包括兩個uv燈管，兩個所述uv燈管的頂端均固定連接在所述工作臺的內(nèi)部頂端。
11、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
12、所述反應盒的高度設置為15um。
13、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
14、所述硅塊的初始厚度設置為40um。
15、作為上述技術(shù)方案的進一步描述：
16、所述刀片的高度設置為20um。
17、本實用新型具有如下有益效果：
18、1、本實用新型中，通過將硅塊的初始厚度設置為40um，將硅塊的頂部粘接在uv膠膜的底部后將其放入反應盒中對反應盒內(nèi)部注入腐蝕介質(zhì)進行硅腐蝕，待反應盒中的硅全部腐蝕后通過電動推桿將剩下的25um厚硅塊移動至刀片進行切割，實現(xiàn)了通過融合了化學減薄和機械減薄的方法規(guī)避了使用其中一種方法的缺陷，確保了應變片的精度和可靠性。
19、2、本實用新型中，硅塊切割完成后還剩余需要的20um厚，繼續(xù)通過電動推桿通過uv膠膜將其移動至收集盒的上方，打開uv燈管對uv膠膜進行照射，使其失去黏性使得硅塊落入收集盒中，實現(xiàn)了通過收集機構(gòu)和照射機構(gòu)同時工作更快速地將硅塊收集的效果，提高了裝置的實用性。
1.一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，包括工作臺（1），其特征在于：所述工作臺（1）的內(nèi)部底端固定連接有反應盒（2），所述反應盒（2）的內(nèi)部設置有硅塊（3），所述工作臺（1）的頂端開設有滑軌（4），所述滑軌（4）的內(nèi)部滑動連接有移動機構(gòu)，所述移動機構(gòu)用于移動已腐蝕反應完成的硅塊（3），所述工作臺（1）的內(nèi)部設置有切割機構(gòu)，所述切割機構(gòu)用于將已腐蝕完成的硅塊（3）切割至需要的厚度，所述工作臺（1）的內(nèi)部設置有收集機構(gòu)，所述收集機構(gòu)用于收集已切割完成的硅塊（3），所述工作臺（1）的內(nèi)部頂端設置有照射機構(gòu)，所述照射機構(gòu)用于通過照射使得切割完成的所述硅塊（3）脫落。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述移動機構(gòu)包括電動推桿（5），所述電動推桿（5）的頂部滑動連接在所述滑軌（4）的內(nèi)部，所述電動推桿（5）的輸出端固定連接有uv膠膜（6），所述uv膠膜（6）的底端與所述硅塊（3）的頂部相粘黏。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述切割機構(gòu)包括支架（7），所述支架（7）的底部固定連接在所述工作臺（1）的內(nèi)部底端，所述支架（7）的頂部固定連接有刀片（8）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述收集機構(gòu)包括收集盒（9），所述收集盒（9）的底端固定連接在所述工作臺（1）的內(nèi)部底端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述照射機構(gòu)包括兩個uv燈管（10），兩個所述uv燈管（10）的頂端均固定連接在所述工作臺（1）的內(nèi)部頂端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述反應盒（2）的高度設置為15um。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述硅塊（3）的初始厚度設置為40um。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種硅mems應變片腐蝕減薄裝置，其特征在于：所述刀片（8）的高度設置為20um。