本發(fā)明涉及mems掃描鏡制備，尤其涉及一種mems掃描鏡的制備工藝。
背景技術：
1、目前，mems掃描鏡一般包括單軸掃描鏡和雙軸掃描鏡，雙軸mems掃描鏡相對單軸mems掃描鏡，功能上更具有優(yōu)勢，由于金屬走線的限制，pzt壓電雙軸mems掃描鏡一般為諧振式，扭轉梁相對較寬，剛度更大，可滿足走線的需求，無法實現(xiàn)靜態(tài)掃描。而靜態(tài)掃描mems掃描鏡需要實現(xiàn)壓電驅動臂的上、下電極引線跨過蛇形彈簧進行走線，而由于蛇形彈簧較窄，現(xiàn)有技術難以實現(xiàn)上、下電極引線在蛇形彈簧處的絕緣問題。
技術實現(xiàn)思路
1、基于上述現(xiàn)有技術中存在的問題，本發(fā)明旨在提供一種mems掃描鏡的制備工藝，以解決現(xiàn)有技術中壓電驅動臂的上、下電極引線在蛇形彈簧處交匯時無法實現(xiàn)絕緣的技術問題。
2、本發(fā)明提供一種mems掃描鏡的制備工藝，所述mems掃描鏡包括固定框、壓電驅動臂、彈簧和鏡面，所述壓電驅動臂的一端與所述固定框固定連接，另一端懸置，且所述壓電驅動臂的懸置端通過所述彈簧與所述鏡面固定連接；其特征在于，包括以下步驟：
3、s1：準備soi晶圓，所述soi晶圓包括由上至下設置的器件層、埋氧層和底硅層；
4、s2：在所述soi晶圓器件層的上表面依次生長下電極層和pzt壓電薄膜層后，分別刻蝕所述pzt壓電薄膜層和所述下電極層，僅保留與所述壓電驅動臂對應的pzt壓電薄膜層，以及保留與所述壓電驅動臂及下電極引線對應的下電極層，以圖形化制備下電極引線；
5、s3：在所述pzt壓電薄膜層的上表面生長多層絕緣層并刻蝕，僅保留與所述彈簧所在位置對應的絕緣層；
6、s4：在所述pzt壓電薄膜層的上表面生長金屬層并刻蝕，僅保留與所述壓電驅動臂、鏡面及上電極引線對應的金屬層；
7、s5：刻蝕所述soi晶圓器件層，以形成所述壓電驅動臂和所述鏡面；
8、s6：對所述soi晶圓進行背部刻蝕，以形成所述固定框。
9、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s1和步驟s2之間還包括：在所述soi晶圓器件層的上表面生長sio2氧化層。
10、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s5中刻蝕所述soi晶圓器件層之前還包括：刻蝕所述sio2氧化層。
11、根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述soi晶圓器件層上表面的sio2氧化層采用熱氧工藝制備。
12、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s3中的多層絕緣層包括由下至上設置的al2o3絕緣層和sio2絕緣層。
13、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s5與步驟s6之間還包括：在所述soi晶圓的背部進行疊片。
14、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s6之后還包括：去掉所述疊片。
15、根據(jù)本發(fā)明一實施例，所述疊片為硅片。
16、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s4中金屬層的材料為au。
17、根據(jù)本發(fā)明一實施例，步驟s6中對所述soi晶圓進行背部刻蝕包括刻蝕所述soi晶圓的底硅層和埋氧層。
18、本發(fā)明的有益效果是：
19、本發(fā)明提供的一種mems掃描鏡的制備工藝基于多層絕緣層結構，實現(xiàn)下電極引線和上電極引線在彈簧處的高壓絕緣，從而能夠制備出靜態(tài)掃描的mems掃描鏡。
1.一種mems掃描鏡的制備工藝，所述mems掃描鏡包括固定框、壓電驅動臂、彈簧和鏡面，所述壓電驅動臂的一端與所述固定框固定連接，另一端懸置，且所述壓電驅動臂的懸置端通過所述彈簧與所述鏡面固定連接；其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權利要求1所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s1和步驟s2之間還包括：在所述soi晶圓器件層的上表面生長sio2氧化層。
3.根據(jù)權利要求2所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s5中刻蝕所述soi晶圓器件層之前還包括：刻蝕所述sio2氧化層。
4.根據(jù)權利要求2所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，所述soi晶圓器件層上表面的sio2氧化層采用熱氧工藝制備。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s3中的多層絕緣層包括由下至上設置的al2o3絕緣層和sio2絕緣層。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s5與步驟s6之間還包括：在所述soi晶圓的背部進行疊片。
7.根據(jù)權利要求6所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s6之后還包括：去掉所述疊片。
8.根據(jù)權利要求6或7任一項所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，所述疊片為硅片。
9.根據(jù)權利要求1所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s4中金屬層的材料為au。
10.根據(jù)權利要求1所述的一種mems掃描鏡的制備工藝，其特征在于，步驟s6中對所述soi晶圓進行背部刻蝕包括刻蝕所述soi晶圓的底硅層和埋氧層。