本申請涉及電子裝置，且確切地說，涉及包封的微機電系統(mems)裝置。
背景技術：
1、微機電系統(mems)裝置將微型機械元件、傳感器、致動器和電子設備集成到單個硅襯底上。這些緊湊的系統(尺寸通常在微米到毫米的范圍內)使用微制造原理來創(chuàng)建功能裝置。mems技術在例如航空航天、醫(yī)療保健、電信和消費型電子設備的行業(yè)中具有各種應用。mems裝置的小型化和集成能力使得能夠開發(fā)高效且具有成本效益的解決方案，與傳統的宏尺度的解決方案相比，性能和功能得到改進。
技術實現思路
1、在實例中，一種微機電系統(mems)裝置包含襯底和半導體裸片，所述半導體裸片耦合到所述襯底并且包含形成于其中的電路系統。所述半導體裸片還包含耦合到所述電路系統的鍵合焊盤。所述mems裝置包含遠離所述半導體裸片延伸并且具有四個側面的結構，其中所述結構包含可腐蝕材料。所述mems裝置包含接觸所述結構的所述四個側面的外表面并且在所述可腐蝕材料上方的環(huán)氧樹脂。
2、在實例中，一種制造微機電系統(mems)裝置的方法包含：將第一半導體裸片附接到襯底面板；以及圍繞所述第一半導體裸片將第一結構附接到所述襯底面板，其中所述第一結構包含第一金屬堆疊。所述方法包含：將第二半導體裸片附接到所述襯底面板；以及圍繞所述第二半導體裸片將第二結構附接到所述襯底面板，其中所述第二結構包含第二金屬堆疊。所述方法包含沉積環(huán)氧樹脂，所述環(huán)氧樹脂接觸所述第一結構的所述第一和第二表面并且接觸所述第二結構的第三和第四表面，并且在所述第一結構的所述第二表面與所述第二結構的所述第三表面之間的間隙中。所述方法包含單切所述襯底面板，包含切穿所述間隙中的環(huán)氧樹脂并且切穿所述襯底面板的一部分。
1.一種微機電系統mems裝置，包括：
2.根據權利要求1所述的mems裝置，其進一步包括將所述半導體裸片耦合到所述襯底的第一側的第一鍵合線和將所述半導體裸片耦合到所述襯底的第二側的第二鍵合線，所述襯底的所述第二側與所述襯底的所述第一側相對，所述環(huán)氧樹脂在所述第一鍵合線和所述第二鍵合線上方。
3.根據權利要求1所述的mems裝置，其中所述mems裝置進一步包括罩蓋，所述罩蓋通過所述結構耦合到所述半導體裸片以在所述罩蓋、所述結構和所述半導體裸片之間形成密封空腔。
4.根據權利要求3所述的mems裝置，其中所述罩蓋是玻璃部件，并且其中所述環(huán)氧樹脂不接觸所述玻璃部件的背對所述半導體裸片的表面。
5.根據權利要求1所述的mems裝置，其中所述結構包括耦合到半導體中介層的金屬堆疊。
6.根據權利要求1所述的mems裝置，其中所述環(huán)氧樹脂延伸到所述襯底的邊緣。
7.根據權利要求1所述的mems裝置，其中間隙將所述環(huán)氧樹脂與所述襯底的邊緣分離。
8.一種微機電系統mems裝置，包括：
9.根據權利要求8所述的mems裝置，其中所述金屬堆疊包括多個不同金屬和多個氧化物層，并且其中所述多個不同金屬包括銅和鎳。
10.根據權利要求8所述的mems裝置，其中所述環(huán)氧樹脂延伸到所述襯底的邊緣。
11.根據權利要求8所述的mems裝置，其中間隙將所述環(huán)氧樹脂與所述襯底的邊緣分離。
12.根據權利要求8所述的mems裝置，其中所述金屬堆疊包括玻璃、氧化物層和合金中的至少一種。
13.根據權利要求8所述的mems裝置，其中所述環(huán)氧樹脂具有低于25的熱膨脹系數。
14.根據權利要求8所述的mems裝置，其中所述四邊結構包括耦合到所述金屬堆疊的半導體中介層。
15.根據權利要求8所述的mems裝置，其中所述環(huán)氧樹脂不接觸所述玻璃部件的頂表面的任何部分，所述玻璃部件的所述頂表面背對所述半導體裸片。
16.一種制造微機電系統mems裝置的方法，包括：
17.根據權利要求16所述的方法，其中所述環(huán)氧樹脂由至少80％的二氧化硅組成。
18.根據權利要求16所述的方法，其中所述環(huán)氧樹脂具有低于25的熱膨脹系數。
19.根據權利要求16所述的方法，其中所述第一和第二結構中的每一個包含半導體中介層。
20.根據權利要求16所述的方法，其進一步包括通過所述第一結構將玻璃部件附接到所述第一半導體裸片，并且其中所述玻璃部件的背對所述第一半導體裸片的頂表面不由所述環(huán)氧樹脂覆蓋。